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深圳人工培育钻石好吗?如何选择?

admin 人造钻石 2021年08月04日

  人工模拟天然钻石生长环境,以微粒石墨作为种子,通过HPHT高温高压或CVD化学气相沉积技术培育,由微粒石墨种子慢慢生长成大颗粒的钻石,这样生产出来的培育钻石,从数据上来说,都与天然钻石无异。

  ①极高的击穿电场:高达109Vem-1,是础化镓材料的17倍,氮化镓材料的2倍,碳化硅材料的2.5倍。

  ②饱和载流子速度:在饱和载流子速度方面金刚石是硅、砷化镓的2.7倍,而且载流子速度比础化镓的峰值还要大,即在申场强度增加时也可维持其高的速率。

  ③载流子迁移率:金刚石的电子迁移率与空穴迁移率都优于其它半导体材料,室温下电子的迁移率为4500cm2/V·S,而硅仅为1500cm2/V·S,砷化镓为8500cm2/V-S,氮化镓低于1000cm2/V·S;金刚石空穴迁移率为3800cm2/V·S,而硅仅为600cm2/VS,砷化镓为400cm2/V·S,氮化镓为50cm2/V·S,因而,金刚石可以制作高频电子器件。

  ④低的介电常数:金刚石的介电常数为5.7,约为砷化镓的二分之一,小于InP的一半,即在给定的频率下,金刚石半导体具有优越的容性负载,这为毫米波器件的设计提供了极大的方便。

  利用化学气相沉积法产出的培育钻石,是不含氮和其他杂质的、硬度和光泽度都美丽纯粹的。是真正意义上的Type IIa。

  培育钻石不仅品质等同甚至超于天然钻石,由于不需要复杂的人工开采,自然就打破了天然钻石的价格壁垒,培育钻石的价格是自然钻石的1/3左右。

  所以现在只要用不到一半的价格就能购买到同样大小的钻石,圆每一个女性的“钻石梦”。

  碳方程新材料公司在CVD长晶设备研发生产上形成了完善的设备及产品体系,并且在CVD金刚石实验室生长工艺研发上取得了突破性的进展,以“设备+工艺”为方针,相互引导,相互依托,以规模生产为研发基石,共筑”MPCVD”生产技术蓝图。以填补国内新材料工业领域空白为己任!以上就是深圳人工培育钻石的全部内容了,大家是不是有了一定的了解了呢,如果觉得这篇文章对您有帮助,欢迎关注碳方程新材料。


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