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ALD将替换CVD淀积技术成为主流

admin 人造钻石 2021年03月19日

  根据网站SBN报道,日前美商半导体淀积设备(depositione鄄quipment)供应商Genus运行官WilliamElder指出,随着半导体厂商使用原子层淀积(ALD)设备导入0.13微米芯片工艺,再加上业界预计,将在导入90纳米工艺及65纳米工艺时,大规模采取ALD设备科技。市场调查机构VLSI分析师表示,ALD设备将逐渐替换化学气相淀积(CVD)淀积技术,成为业界主流。

  VLSI最新报告指出,虽然当前ALD淀积设备仅达一亿美元市场规模,但其涨势不容小觑,三年内全球ALD设备市场增长率将超过66%。预计2008年时全球ALD设备市场可望达到13.5亿美元,而同期CVD设备市场增长率不到20%,虽然CVD设备当前仍占市场主流,但此消彼长,预计到2008年为止,ALD设备至少可望取得全球淀积设备市场约20%市场占有率。

  Elder指出,此前ALD设备进入商业用途的障碍(包括成本过高及开出产量较慢等因素)已被克服。事实上,ALD设备已从过去研发阶段进入0.13微米工艺生产阶段,当前已有越来越多的厂商接受ALD设备科技,随着半导体生产日渐走向90纳米工艺以下先进工艺后,ALD的接受度将大为提高。

  Elder进一步指出,虽然先前英特尔(Intel)宣称,将在45纳米工艺时才计划布建ALD设备,但以当前ALD设备已被使用在DRAM电容器的经验看来,许多半导体厂商可能提早在65纳米工艺时,便宣布使用ALD淀积设备。

  据统计,在2000年半导体高峰期时,全球薄膜淀积设备市场规模高达110亿美元,以当前ALD设备市场所蓄积之丰沛增长潜力,许多半导体设备供应商如美商应用材料(AppliedMaterials)、荷商ASML等大厂,已陆续投入ALD淀积设备的研发与销售。


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