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HBM2E性能提升到4Gbps的方法

admin 人造钻石 2021年08月15日

  等新兴应用提供足够的内存带宽,HBM2E和GDDR6已经成为了设计者的两个首选方案。在进行这种高性能的内存系统设计时,其中的解决方案的IP供应商。最近,由Rambus提供HBM2E的接口方案,与chip和海力士合作开发的内存系统达到了业界最快的4Gbps的运算速度。Rambus也专门召开了媒体发布会,介绍了其先进的HBM2E接口方案的技术优势,Rambus 大中华区总经理 Raymond Su和Rambus IP核产品营销高级总监 Frank Ferro先生进行了精彩的分享。

  Rambus此次与合作伙伴设计的内存解决方案是一个2.5D系统,其中包含一个 3D-DRAM堆栈和SoC,两者之间的数据传输需要通过一个硅中阶层来实现 。整体的复杂程度要比GDDR6的内存系统要高的多, 因此对于接口IP的设计要求也要高很多,而且必须对硅片进行完整的系统性的验证。而HBM2E内存系统的这些设计特点,对于设计者而言都是不小的挑战,但这也正是Rambus的优势所在。

  据Frank介绍 ,Rambus的核心差异化优势在于其提供的是完全集成而且经过验证的PHY及内存控制器IP解决方案,在物理层面实现了完整的集成互联。“除了完整的内存子系统之外,我们的PHY也经过了硬核化处理,同时也完成了ng closed也就是时序收敛的工作。基于我们所有的工作都已经完成,客户的集成难度也可以获得大幅度的下降。我们的硬核PHY已经有了完备的集成,其中也包括了IO链路和Decap单元,同时也完成了时序收敛,所以说我们可以为客户提供非常用户友好的解决方案,帮助他们大幅度缩短设计时间,并且加快产品的上市速度。我们给客户提供的并不仅仅是自己的IP授权、IP产品,我们也会向客户提供系统级的全面的集成支持,以及相关的工具套件,以及我们的技术服务。同时,我们也可以帮助客户更加进一步地减少设计实现的难度。”

  Rambus为客户提供了非常完整的设计框架 ,其中非常重要的一点如何更好地对中介层进行完整的设计和表征化的处理。这个中介层中的信号绕线提供了SoC与内存通信的能力,其中包含上千条不同的数据链路,因此中介层的信号完整性也是必须要考量的一个重要指标。而Rambus从创始以来对于信号完整性的处理有着丰富的经验,也有很多信号完整性的技术以及研究背景。Rambus会对各种不同的中介层材料进行完整的分析和仿真,通过同数据库中大量仿真数据分析,为客户提供可以确保信号完整性的中介层设计方案。

  据Raymond先生介绍,Rambus主要致力于让数据传输得更快、更安全,主要聚焦于基础架构许可、Silicon IP授权以及buffer chip三大业务。其中在HBM IP领域,已经有了50多个成功项目案例, 处于行业领先的地位。对于客户而言,Rambus提供的一站式服务,可以确保客户用最短的时间实现产品上市。

  在技术积累方面,Rambus也有着强大的优势:Rambus有专门的实验室和内部科学家团队,致力于在内存PHY和控制器方面实现技术突破和创新。Rambus有完备的面向2.5D、3D、SI/PI支持开发工具以及20余年信号完整性和电源完整性专业领域的知识。

  作为IP提供商,需要从最底层面将芯片设计商、晶圆厂串联起来,才能将生意做大。而Rambus一致积极与多方合作伙伴在生态系统内进行合作。除了此次业界最高性能的HBM2E内存系统外,燧原科技也使用了Rambus的HBM2内存子系统方案来作为其AI训练芯片,实现了产品的卓越性能。“中国市场对于整个Rambus全球市场来说扮演着非常重要的角色,我们将会为中国市场带来最新和最先进的技术。我们会紧密地和中国的云厂商、OEM和ODM合作,推动整个内存产业生态系统的建设。同时,我们会和广大的中国客户一起携手努力,并紧密协作。我们会扎根中国、深耕中国 (in China,for China)。”Raymond先生如是说到。

  目前中国已经成为了全球人工智能领域发展速度最快的国家之一,中国涌现出了大量的AI芯片制造商,在这些芯片的算力提升的同时,AI芯片与内存系统通信带宽和速度也是限制整个AI系统应用性能的重点。Rambus提供的完整的一站式内存接口方案,可以帮助中国的AI应用实现快速面市的需求,助力人工智能应用加速落地。

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  T32A的引脚排列与LS32完全相同。设备输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL载荷 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2.0 V至6.0 V 低输入电流:1 A CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号要求 芯片复杂性:48 FET或12个等效门 PbFree软件包可用 应用 桌面 电路图、引脚图和封装图

  T20A的引脚排列与LS20完全相同。器件输入与标准CMOS LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:4.5 V至5.5 V 低输入电流:1uA CMOS器件的高抗噪性能 这些是无铅设备 应用 桌面,白色家电等 电路图、引脚图和封装图

  能硅栅CMOS MC74HCT86A的引脚排列与LS86完全相同。器件输入与标准CMOS输出和LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL载荷 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6 V 低输入电流:1 mA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号要求 芯片复杂性:56 FET或14个等效门 这些是无铅设备 应用 桌面 电路图、引脚图和封装图

  能硅栅CMOS。 MC74HCT08A的引脚排列与LS08完全相同。设备输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL载荷 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2.0 V至6.0 V 低输入电流:1μA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号要求 芯片复杂性:24 FET或6个等效门 这些是无铅设备 应用 桌面 电路图、引脚图和封装图

  能硅栅CMOS MC74HC86A的引脚排列与LS86相同;该器件的功能类似于MM74C86和L86,但具有不同的引脚排列。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6 V 低输入电流:1 mA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号规定的要求 芯片复杂性: 56个FET或14个等效门 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  30的引脚排列与LS30完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容,带上拉电阻,与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6 V 低输入电流:1μA CMOS器件的高抗噪性能 这些是无铅设备 电路图、引脚图和封装图

  能硅栅CMOS MC74HC32A的引脚排列与LS32完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6V 低输入电流:1mA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号要求 芯片复杂性:48个FET或12个等效电路盖茨 无铅包装可用 电路图、引脚图和封装图...

  20A的引脚排列与LS20完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2 V至6 V 低输入电流:1 uA CMOS器件的高抗噪性能 这些是无铅设备 电路图、引脚图和封装图

  11A的引脚排列与LS11完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2 V至6 V 低输入电流:1 A CMOS器件的高抗噪性能 这些是无铅设备 应用 桌面,白色商品等 电路图、引脚图和封装图

  10A的引脚排列与LS10完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6 V 低输入电流:1μA CMOS器件的高抗噪性能 符合要求JEDEC标准第7号A 芯片复杂性:36 FET或9个等效门 PbFree包可用 电路图、引脚图和封装图

  能硅栅CMOS MC74HC08A的引脚排列与LS08完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6V 低输入电流:1mA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号要求 芯片复杂性:24个FET或6个等效电路盖茨 无铅包装* * 电路图、引脚图和封装图...

  能硅栅CMOS MC74HC02A的引脚排列与LS02完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2.0至6.0 V 低输入电流:1.0 mA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号规定的要求 芯片复杂性: 40个FET或10个等效门 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  输入与非门。高性能硅栅CMOS。 MC74HC00A的引脚排列与LS00完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6 V 低输入电流:1μA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7号A要求 芯片复杂性:32个FET或8个等效门 PbFree包可用 电路图、引脚图和封装图...

  T00是通过使用先进的硅栅极CMOS技术制造的NAND门,可提供CMOS的固有优势 - 低静态功率和宽电源范围。此器件的输入和输出特性以及引脚分配与标准74LS逻辑MM-4HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些兼容器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特性 TTL,LS引脚分配和阈值兼容 快速开关:t PLH ,t PHL = 14 ns(典型值) 低功率:直流时为10μW 高扇出,10个LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T08是通过使用先进的硅栅极CMOS技术制造的逻辑功能器件,可提供CMOS的固有优势 - 低静态功率和宽电源范围。此器件的输入和输出特性以及引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免受到内部二极管至V CC 和地线HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特性 TTL,LS引脚分配和阈值兼容 快速开关:t PLH ,t PHL = 12 ns(典型值) 低功率:直流时为10μW 高扇出,10 LS-TTL负载 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T05是通过使用先进的硅栅极CMOS技术制造的逻辑功能器件,可提供CMOS的固有优势 - 低静态功率和宽电源范围。此器件的输入和输出特性以及引脚分配与标准DM74LS逻辑系列兼容.MM74HCT05开路漏极六路转换器要求增加一个外部电阻以实现有线 - 或非功能。保护所有输入端,以免受到内部二极管至V CC 和地线HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特性 开路漏极实现有线 - 或非功能 LS- TTL引脚和阙值兼容 10 LS-TTL负载的高扇出 典型传播延迟:t PZL (带1 kohm阻)10 nst PLZ (带1 kohm电阻)8 ns 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  FSA646 2:1 MIPI D-PHY(2.5Gbps)4数据通道开关

  是一款4数据通道,移动产业处理器接口(MIPI),D-PHY开关。该器件为单刀双掷(SPDT)开关,专门针对两个高速或低功耗MIPI信号源之间的切换进行了优化.FSA646特别针对MIPI规格设计,可连接至CSI或DSI模块。 特性 开关类型:SPDT(10x) 信号类型: MIPI,D-PHY V CC :1.5至5.0 V 输入信号:0至1.3 V R ON : 6Ω典型HS MIPI 6Ω典型LP MIPI △R ON :0.1Ω典型LP& HS MIPI R ON_FLAT :0.9Ω典型HS& LS MIPI I CCZ :1μA(最大值) I CC :32μA(典型值) OIRR:-24 dB(典型值) 带宽:2500 MHz最小值 C ON :15 pF(典型值) Xtalk:-30 dB(典型值) 在相同输出下,反向转换的时滞:6 ps(典型值) 电路图、引脚图和封装图...

  99B是一款超低RON双DPDT和一个0.5欧姆RON模拟开关。该器件专为低工作电压,扬声器输出的高电流切换和手机应用的耳机而设计。它可以切换平衡的立体声输出。 NLAS3799B可以在单声道模式下处理平衡麦克风,扬声器,铃声发生器。该设备包含一个先断后合(BBM)功能。 特性 单电源供电,1.65至4.5 V 直接来自LiON电池的功能 最大值击穿电压:5.5 V 低静态功率 NLAS3799B与2.8 V芯片组的接口; NLAS3799BL与1.8 V芯片组的接口 应用 终端产品 手机扬声器/麦克风切换 铃声 - 芯片/放大器切换 四个不平衡(单端)开关 立体声平衡(推挽)切换 手机 VoIP手机 液晶电视 电路图、引脚图和封装图...

  222是一款DPDT交换机,针对便携式系统中的高速USB 2.0应用进行了优化。它具有超低的导通电容,CON = 7.5 pF(典型值),带宽高于950 MHz。它针对使用单个USB接口connectorto路由多种信号类型的应用进行了优化。两个通道的CON和RON都很低,允许NL3HS2222将任何速度的USB数据传输信号传递到中等电阻的终端,如外置耳机。 应用 USB 2.0开关 电路图、引脚图和封装图

  NCP4208 同步降压转换器 8相 VR11.1可编程 带I2C接口

  8是一款集成电源控制IC,具有I 2 C接口。 NCP4208是一款高效,多相,同步降压开关稳压控制器,可帮助设计高效率和高密度解决方案。 NCP4208可编程为1,2,3,4,5,6,7或8相操作,允许构建多达8个互补降压开关级。 特性 优势 快速增强PWM 出色的负载转换性能 应用 终端产品 CPU Vcor​​e 台式电脑,服务器 电路图、引脚图和封装图


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